Jdi na obsah Jdi na menu
 


Pomalé spoje

Další problém - spoje mezi transistory začínají být příliš pomalé. Spoje mají jistou setrvačnost. Stále menší transistory si žádají stále menší spoje. Měděné dráty poprvé masově nasazeny firmou AMD před čtyřmi lety sice dokázaly podstatně snížit zpoždění na spojích, s rostoucí frekvencí se ale problém jen oddálil o pár let. Graf výše ukazuje, jak by situace vypadala, když by Intel nedávno nenarazil na problémy se zvyšováním frekvence Pentia 4 a tuto architekturu tzv. neposlal k ledu. Již v době 65nm technologie by zpoždění na spojích bylo větší než perioda hodinového signálu! V přípravě jsou optické spoje, které by měly tento problém zcela eliminovat. Jejich nasazení v komerčně dostupných řešeních má ale ještě hodně dlouhou cestu před sebou. 

Jaká jsou řešení těchto problémů? Některé technologie, jako například Strained Silicon, slibují zvýšit rychlost transistorů i bez jejich zmenšování.

Vrstva siliconu (křemíku) je potažena vrstvou silicon-germania. Protože silicon-germanium má atomy dál od sebe, umožňuje snadnější průchod elektronů. Při kontaktu se silikonem je i ten "roztažen", čímž klesá jeho odpor a elektrony mohou snadněji proudit.

IBM, vynálezce této technologie, udává zrychlení proudu elektronů až o 70 procent, což ve výsledku znamená asi o 35 procent rychlejší čip. Nepříjemnou zprávou bohužel je, že někteří podezřívají strained silicon ze zvyšování leakage current.

 

 

f.png

 

 

 

 
 

 


Statistiky

Online: 1
Celkem: 20174
Měsíc: 180
Den: 10